NTAG 213, NTAG 215 và NTAG 216 đã được phát triển bởi NXP® Chất bán dẫn là IC thẻ NFC tiêu chuẩn được sử dụng trong các ứng dụng thị trường đại chúng như bán lẻ, chơi game và điện tử tiêu dùng, kết hợp với các thiết bị NFC hoặc Thiết bị ghép nối tiệm cận tuân thủ NFC. NTAG 213, NTAG 215 và NTAG 216 (từ nay trở đi, thường được gọi là NTAG 21x) được thiết kế để tuân thủ đầy đủ các thông số kỹ thuật của NFC Forum Type 2 Tag và ISO/IEC14443 Type A.
Các ứng dụng mục tiêu bao gồm quảng cáo thông minh trên phương tiện in ấn và ngoài trời, ứng dụng SoLoMo, xác thực sản phẩm, nhãn kệ NFC và thẻ đồng hành di động.
Các trường hợp sử dụng mục tiêu bao gồm quảng cáo thông minh ngoài trời, xác thực sản phẩm, thẻ đồng hành trên thiết bị di động, Bluetooth® hoặc ghép nối Wi-Fi, nhãn kệ điện tử và danh thiếp. Bộ nhớ NTAG 21x cũng có thể được phân đoạn để triển khai nhiều ứng dụng cùng một lúc.
Nhờ điện dung đầu vào cao, IC thẻ NTAG 21x được thiết kế riêng cho các ứng dụng yêu cầu diện tích nhỏ mà không ảnh hưởng đến hiệu suất. Thẻ NFC nhỏ có thể dễ dàng nhúng vào, ví dụ, nhãn sản phẩm hoặc thiết bị điện tử.
Các thông số kỹ thuật cơ và điện của NTAG 21x được thiết kế riêng để đáp ứng các yêu cầu của nhà sản xuất miếng dán và thẻ.
Truyền dữ liệu và năng lượng không tiếp xúc
Chỉ có thể thiết lập kết nối với NTAG 21x khi IC được kết nối với ăng-ten.
Khi NTAG 21x được đặt trong trường RF, giao diện truyền thông RF tốc độ cao cho phép truyền dữ liệu với tốc độ truyền 106 kbit/giây.
Triển khai đơn giản và tiện lợi cho người dùng
NTAG 21x cung cấp các tính năng cụ thể được thiết kế để cải thiện khả năng tích hợp và sự tiện lợi cho người dùng:
- Khả năng đọc nhanh cho phép quét toàn bộ tin nhắn NDEF chỉ bằng một lệnh FAST_READ, do đó giảm chi phí trong môi trường sản xuất thông lượng cao
- Hiệu suất RF được cải thiện cho phép linh hoạt hơn trong việc lựa chọn hình dạng, kích thước và vật liệu
- Tùy chọn độ dày IC 75 μm cho phép sản xuất các thẻ siêu mỏng, để tích hợp thuận tiện hơn vào, ví dụ, tạp chí hoặc thẻ chơi game
Bảo vệ
- Nhà sản xuất lập trình UID 7 byte cho mỗi thiết bị
- Container Khả năng được lập trình sẵn với các bit có thể lập trình một lần
- Chức năng khóa chỉ đọc có thể lập trình tại hiện trường
- Chữ ký gốc dựa trên ECC
- Bảo vệ bằng mật khẩu 32-bit để ngăn chặn các hoạt động bộ nhớ trái phép
Tuân thủ loại Thẻ Diễn đàn NFC 2
IC NTAG 21x tuân thủ đầy đủ thông số kỹ thuật của NFC Forum Tag 2 và cho phép cấu hình cấu trúc dữ liệu NDEF.
Chống va chạm
Chức năng chống va chạm thông minh cho phép vận hành nhiều thẻ cùng lúc trên thực địa. Thuật toán chống va chạm chọn từng thẻ riêng lẻ và đảm bảo thực hiện giao dịch với thẻ đã chọn được thực hiện chính xác mà không bị ảnh hưởng bởi thẻ khác trên thực địa.
Đặc trưng
- Truyền dữ liệu và cung cấp năng lượng không tiếp xúc
- Tần số hoạt động 13,56 MHz
- Truyền dữ liệu 106 kbit/giây
- Tính toàn vẹn dữ liệu của CRC 16 bit, tính chẵn lẻ, mã hóa bit, đếm bit
- Khoảng cách hoạt động lên tới 100 mm (tùy thuộc vào nhiều thông số khác nhau như cường độ trường và hình dạng ăng-ten)
- Số sê-ri 7 byte (cấp độ xếp tầng 2 theo ISO/IEC 14443-3)
- Gương ASCII UID để tự động tuần tự hóa các thông điệp NDEF
- Bộ đếm NFC tự động được kích hoạt khi có lệnh đọc
- Bộ đếm NFC ASCII mirror để tự động thêm giá trị bộ đếm NFC vào tin nhắn NDEF
- Chữ ký gốc dựa trên ECC
- Lệnh đọc nhanh
- Chống va chạm thực sự
- Điện dung đầu vào 50 pF
- 180, 540 hoặc 924 byte được sắp xếp thành 45, 135 hoặc 231 trang với 4 byte cho mỗi trang
- Khu vực Đọc/Ghi miễn phí 144, 504 hoặc 888 byte dành cho người dùng (36, 126 hoặc 222 trang)
- Bộ chứa khả năng khởi tạo 4 byte với các bit truy cập có thể lập trình một lần
- Chức năng khóa chỉ đọc có thể lập trình tại chỗ cho mỗi trang trong 16 trang đầu tiên
- Chức năng khóa chỉ đọc có thể lập trình tại chỗ trên 16 trang đầu tiên cho mỗi trang đôi đối với NTAG 213 hoặc cho mỗi 16 trang đối với NTAG 215 và NTAG 216
- Bảo vệ mật khẩu có thể cấu hình với giới hạn tùy chọn về số lần thử không thành công
- Hỗ trợ chống rách cho khả năng chứa (CC) và bit khóa
- Kiểm tra tính nguyên bản được ECC hỗ trợ
- Thời gian lưu giữ dữ liệu là 10 năm
- Viết độ bền 100.000 chu kỳ
